特許

J-GLOBAL ID：200903039500958145

半導体レーザ素子の製造方法

発明者： 平山 祥之 ,  清水 均 ,  菅田 純雄
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-184420
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005981
出願日： 1992年06月18日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：

【要約】【目的】 一回の結晶成長で電流狭窄構造まで形成できる、良質な半導体レーザ素子の製造方法を提供する。【構成】 3-5族化合物半導体基板11上に、それぞれ3-5族化合物半導体からなる下部クラッド層13、活性層14、上部クラッド層15を順次積層した半導体レーザ素子の製造方法において、上部クラッド層15の結晶面方位を3族安定化面とし、前記上部クラッド層15に両性不純物をドーピングし、次いで、上部クラッド層15の所望の領域にレーザアニールを施す。

請求項（抜粋）：

3-5族化合物半導体基板上に、それぞれ3-5族化合物半導体からなる下部クラッド層、活性層、上部クラッド層を順次積層した半導体レーザ素子の製造方法において、上部クラッド層の結晶面方位を3族安定化面とし、前記上部クラッド層に両性不純物をドーピングし、次いで、上部クラッド層の所望の領域にレーザアニールを施すことを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。