特許

J-GLOBAL ID：200903039507314324

投影露光方法および装置

発明者： 宮井 恒夫
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 森岡 正樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-303437
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121366
出願日： 1997年10月18日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】本発明は、半導体装置などの製造の際のフォトリソグラフィ工程で用いられる投影露光方法および装置に関し、ウェハのショット領域を投影光学系の結像面に正確に一致させる投影露光方法および装置を提供することにある。【解決手段】ウェハWを保持して投影光学系PLの光軸AX方向に移動可能で、光軸AXに対して傾斜可能なステージST2と、複数の光ビームのウェハW表面からの反射光を受光して光電検出する複数の受光系21、D11〜D77を有し、投影光学系PLの結像面に対するウェハW表面の光軸方向のずれ量に応じた検出信号Saを出力する焦点検出系を有し、ウェハWの各ショット領域のレチクルRに対するアライメント情報に基づいて、各ショット領域毎に、焦点検出系の複数の受光系D11〜D77のうち使用すべき受光系D11〜D77を選択するようにする。

請求項（抜粋）：

感光基板表面に複数の光ビームを投射し、それらの反射光を複数の受光系で受光して、投影光学系の結像面に対する前記感光基板表面のずれ量に応じた検出信号を生成するステップと、前記検出信号に基づいて、前記感光基板を保持するステージを前記投影光学系の光軸方向へ移動させ、前記光軸に対して傾斜させるステップと、前記投影光学系を介してレチクル上のパターンの像を前記感光基板上に露光するステップとを有する投影露光方法において、前記感光基板の各ショット領域の前記レチクルに対するアライメント情報に基づいて、前記各ショット領域毎に、前記複数の受光系のうち使用すべき受光系を選択する受光系選択ステップを備えていることを特徴とする投影露光方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (2件)：

H01L 21/30 526 B ,  G03F 7/20 521