電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-251534
公開番号（公開出願番号）：特開2005-101588
出願日： 2004年08月31日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：

【課題】ソース・ドレインの寄生抵抗の低減及び短チャネル効果の抑制と共にリーク電流の低減をはかる。【解決手段】チャネル領域を構成する第1の半導体領域12と、第1の半導体領域12上にゲート絶縁膜15を介して形成されたゲート電極16と、第1の半導体領域12をチャネル長方向から挟んで形成されたソース・ドレイン電極14と、第1の半導体領域12とソース・ドレイン電極14との間にそれぞれ挿入形成され、第1の半導体領域12よりも不純物濃度の高い第2の半導体領域13とを具備してなる電界効果トランジスタであって、第2の半導体領域13が電圧無印加の状態においても空乏化するように、チャネル長方向の厚さを10nm以下で、且つ不純物濃度で決まる空乏層幅よりも薄く形成した。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

チャネル領域を構成する第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極に対応して前記第1の半導体領域の両側に形成されたソース・ドレイン電極と、前記第1の半導体領域と前記ソース・ドレイン電極との間にそれぞれ形成され、前記第1の半導体領域よりも不純物濃度の高い第2の半導体領域とを具備してなり、前記第2の半導体領域の前記チャネル領域に接する部分は、電圧無印加の状態においてチャネル長方向の全体にわたって空乏化されてなることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (8件)：

H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/8238 , H01L27/08 , H01L27/092 , H01L29/417 , H01L29/78

FI (11件)：

H01L29/78 616S , H01L21/28 301S , H01L27/08 331E , H01L29/50 M , H01L29/78 618F , H01L29/78 616V , H01L29/78 616L , H01L29/78 301S , H01L29/78 301P , H01L27/08 321E , H01L27/08 321F

Fターム (111件)：

4M104AA01 , 4M104AA09 , 4M104BB07 , 4M104BB19 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB22 , 4M104BB39 , 4M104CC03 , 4M104DD02 , 4M104DD50 , 4M104DD78 , 4M104DD84 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH17 , 5F048AA07 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BA14 , 5F048BA15 , 5F048BA16 , 5F048BB02 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BC01 , 5F048BC05 , 5F048BC06 , 5F048BC15 , 5F048BC18 , 5F048BD04 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF16 , 5F048BG07 , 5F048DA25 , 5F110AA06 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110CC10 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE05 , 5F110EE22 , 5F110EE31 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG12 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG30 , 5F110GG32 , 5F110GG37 , 5F110HJ01 , 5F110HJ02 , 5F110HJ04 , 5F110HJ06 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HK05 , 5F110HK26 , 5F110HK33 , 5F110HK40 , 5F110HM02 , 5F110HM07 , 5F110NN62 , 5F140AA21 , 5F140AA24 , 5F140AB03 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BB15 , 5F140BC06 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG08 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG34 , 5F140BG45 , 5F140BG54 , 5F140BH14 , 5F140BH33 , 5F140BH35 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BJ30 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK22 , 5F140BK29 , 5F140BK34 , 5F140BK39 , 5F140CB01 , 5F140CF04

引用特許：

出願人引用 (1件)

特開昭59-047767

審査官引用 (1件)

特開昭59-047767

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