特許
J-GLOBAL ID：200903039511264765
有機反射防止膜塗布重合体およびその準備方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-289831
公開番号（公開出願番号）：特開2000-204115
出願日： 1999年10月12日
公開日（公表日）： 2000年07月25日
要約：
【要約】【課題】半導体素子製造工程における、193nmArFおよび248nmKrF光を用いた超微細パターン形成工程において、反射防止に使用し得る新規の化合物質を提供する。【解決手段】半導体素子製造工程における、248nmKrFおよび193nmArFリソグラフィ用フォトレジストを使用する超微細パターン形成工程において、下部膜層の反射を防止し、ArF光およびフォトレジスト自体の厚さの変化における定在波を除去し得る有機反射防止樹脂化合物およびその製造方法であって、この樹脂化合物を反射防止膜として用いると、下部膜から起因されるCDの変動を除去することによって、64M、256M、1G、4Gおよび16GDRAMの安定した超微細パターンを形成でき、製品の歩留り率を増加させることができる。
請求項（抜粋）：
ジアゾナフトキノンスルホニル置換重合体であって、(a)下記の一般式(1)で表されるポリヒドロキシスチレン重合体と、【化1】(上式中、Rは、水素、C1-C6のアルキル、ヒドロキシルまたはヒドロキシメチル基、m:nは、0.1〜0.9:0.1〜0.9のモル比をそれぞれ示している。)(b)下記の一般式(2)で表されるポリ(スチレン-アクリレート)重合体と、【化2】(上式中、Rは、水素、C1-C6のアルキル、ヒドロキシルまたはヒドロキシメチル基、xは、1〜5の定数、a:b:c:dは、0.1〜0.9:0.1〜0.9:0.1〜0.9:0.1〜0.9のモル比をそれぞれ示している。)(c)下記の一般式(3)で表されるノボラック重合体と、【化3】(上式中、R1は、水素、メチルまたはヒドロキシル基、eは、3乃至17の平均重合度をそれぞれ示している。)からなるグループより選択され、半導体装置の有機反射防止膜として適宜に用いられる重合体。
IPC (5件)：
C08F 8/34
, C08G 8/28
, C08L 61/14
, C09D161/14
, H01L 21/312
C08F 8/34
, C08G 8/28 A
, C08G 8/28 B
, C08L 61/14
, C09D161/14
, H01L 21/312 A
