特許

J-GLOBAL ID：200903039511645670

薄膜多層回路基板

発明者： 鈴木 直樹 ,  堀 厚生
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-217479
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055751
出願日： 1991年08月28日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】 小型高密度を実現するとともにコンデンサ容量の変更が簡単である薄膜多層回路基板を提供する。【構成】 ヴィアホール12を有する層間絶縁層10と配線導体層11とを交互に絶縁基板1上に多層積層して構成され、上記層間絶縁層10のひとつを誘電体9としその両側の上記絶縁基板1とほぼ同形状の配線導体層11を電極8,8aとするコンデンサ7をすくなくとも1個含んでおり、かつ上記コンデンサ7の誘電体9となる層間絶縁層は他の層間絶縁層10より膜厚を薄く、または誘電率が高い材料で構成してコンデンサ容量を確保している。

請求項（抜粋）：

ヴィアホールを有する層間絶縁層と配線導体層とを交互に絶縁基板上に多層積層して構成され、上記層間絶縁層のひとつを誘電体としその両側の上記絶縁基板とほぼ同形状の配線導体層を電極とするコンデンサをすくなくとも1個含んでおり、かつ上記コンデンサの誘電体となる層間絶縁層は他の層間絶縁層より膜厚が薄い薄膜多層回路基板。