特許

J-GLOBAL ID：200903039513766717

P型窒化ガリウム系化合物半導体結晶の熱処理方法

発明者： 古屋 貴士 ,  森島 嘉克
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 川澄 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-211963
公開番号（公開出願番号）：特開2002-025928
出願日： 2000年07月07日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】キャリア濃度を高度に高めるとができるP型窒化ガリウム系化合物半導体結晶の熱処理方法を提供すること。【解決手段】有機金属気相成長法により成長して成るp型不純物ドープ窒化ガリウム系化合物半導体結晶を急熱処理、急冷処理を繰り返すヒートサイクル熱処理することを特徴とするP型窒化ガリウム系化合物半導体結晶の熱処理方法にある。

請求項（抜粋）：

有機金属気相成長法により成長して成るp型不純物ドープ窒化ガリウム系化合物半導体結晶を急熱処理と急冷処理とを繰り返すヒートサイクル熱処理することを特徴とするP型窒化ガリウム系化合物半導体結晶の熱処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/26 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/26 F

Fターム (21件)：

5F041AA04 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045CA10 ,  5F045HA16