特許

J-GLOBAL ID：200903039514893992

セラミックス回路基板

発明者： 堀口 昭宏 ,  五代儀 靖 ,  遠藤 光芳 ,  加曽利 光男 ,  上野 文雄
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-186754
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037414
出願日： 1992年07月14日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：

【要約】【目的】 AlNを主成分とするセラミックス基板に対して外部端子を高強度に接合することを可能にすると共に、多端子で高密度な導体回路への対応を図ったAlN製セラミックス回路基板を提供する。【構成】 AlNを主成分とするセラミックス基板1の内部には、一端部がセラミックス基板1の一表面に到達するように、導体回路5(13)が設けられている。セラミックス基板1の表面には、導体回路の一端部(13)と電気的に接続するように、ランド12が設けられている。ランド12は、 Wおよび/またはMoとAlNとを少なくとも含有する導体層を有している。ランド12上には、Ti、ZrおよびHfから選ばれた少なくとも 1種の活性金属元素を含有する銀ろう14により、外部端子8が接合されている。

請求項（抜粋）：

窒化アルミニウムを主成分とするセラミックス基板と、前記セラミックス基板の内部に設けられた導体回路と、前記導体回路の一端部と電気的に接続するように、前記セラミックス基板の表面に設けられたランドと、前記ランド上にろう付け接合された外部端子とを具備するセラミックス回路基板において、前記ランドは、タングステンおよび/またはモリブデンと窒化アルミニウムとを少なくとも含有する導体層を少なくとも有し、かつ前記外部端子は、チタン、ジルコニウムおよびハフニウムから選ばれた少なくとも 1種の活性金属元素を含有する銀ろうまたは半田により前記ランド上に接合されていることを特徴とするセラミックス回路基板。

IPC (3件)：

H05K 1/03 ,  H01L 23/15 ,  H01L 23/50

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-073799
  
• 特開平1-308893
  
• 特開平3-114289