特許
J-GLOBAL ID:200903039521157460

水素センサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 湯浅 恭三 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-273684
公開番号(公開出願番号):特開平9-145655
出願日: 1996年10月16日
公開日(公表日): 1997年06月06日
要約:
【要約】【課題】 通常の室温から少なくとも150°Cまでの温度範囲で有効に作動する薄膜型水素センサを提供する。【解決手段】 水素センサ10は、電気絶縁性の基板12を備えている。基板12は、共付着されたニッケル及びジルコニウムから成る電気絶縁性の非晶質の薄膜14と、この薄膜の上に存在するパラジウム膜16とを担持している。センサが作動している間に、サンプルガス中の水素は、パラジウム膜16の上で解離して、ニッケル/ジルコニウム膜の中に拡散する。これにより、サンプルガスの中の水素の量に比例して、電気抵抗が変化するので、水素濃度を測定することができる。
請求項(抜粋):
ガスサンプル中の水素センサ(10)であって、水素ガスに対して不活性であり、薄膜金属被覆を受け入れるように適合された表面を有する、非導電性の基板(12)と、前記基板に設けられていて、NixZr100-x(25≦x≦75)に従って共付着されたニッケル及びジルコニウムから本質的になる非晶質の金属合金膜(14)と、前記ニッケル及びジルコニウムの膜(14)全体の上に存在する、パラジウムから本質的になる膜(16)とを備え、前記パラジウム膜(16)及びニッケル/ジルコニウム膜(14)は、前記ガスの水素含有量に比例して、水素原子を可逆的に受け入れ、前記ニッケル/ジルコニウム膜(14)の電気抵抗が、その水素含有量に比例することを特徴とする水素センサ。
IPC (2件):
G01N 27/12 ,  G01N 27/04
FI (3件):
G01N 27/12 B ,  G01N 27/12 C ,  G01N 27/04 F

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