特許
J-GLOBAL ID：200903039521911505
ショットキ-バリアダイオ-ド
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-368778
公開番号（公開出願番号）：特開2000-196107
出願日： 1998年12月25日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：
【要約】【課題】順方向特性と逆方向特性とのトレードオフの関係を一層改善して、順方向電圧が低く、かつ逆漏れ電流の小さいショットキーバリアダイオードを提供する。【解決手段】ショットキーバリアの最も低い第1のショットキー電極11、中間の第2のショットキー電極12、最も高い第3のショットキー電極13の3種類のバリア高さの異なる金属が、第1のショットキー電極11と第3のショットキー電極13との間に第2のショットキー電極12が配置されて、エピタキシャル層42表面上に設けられ、それらの上をAl層14が覆ってアノード電極10を構成している。n+ サブストレート41の裏面にはオーミックなカソード電極20が設けられている。
請求項（抜粋）：
半導体基板表面に、それぞれバリア高さの異なる金属からなる第1のショットキー電極、第2のショットキー電極および第3のショットキー電極を接触させ、それらを電気的に短絡した電極と、半導体基板表面の別の部分に形成したオーミックな電極とを有することを特徴とするショットキーバリアダイオード。
Fターム (15件)：
4M104BB06
, 4M104BB14
, 4M104BB16
, 4M104CC01
, 4M104CC03
, 4M104FF02
, 4M104FF03
, 4M104FF04
, 4M104FF06
, 4M104FF09
, 4M104FF11
, 4M104FF13
, 4M104FF27
, 4M104FF35
, 4M104HH17
