特許

J-GLOBAL ID：200903039527152711

化合物半導体素子の製造方法

発明者： 福田 勝義 ,  中田 文夫 ,  重中 圭太郎 ,  平原 奎治郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-229165
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086163
出願日： 1993年09月14日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】 構成元素同士結合か強く安定的な結晶成長が可能で、かつ10μm 付近の赤外線検出機能を備えた狭エネルギーギャップの化合物半導体素子を容易に製造し得る方法の提供を目的とする。【構成】 アンチモン化インジウム(InSb)からなる基体1上に錫-アンチモン化インジウム(Snx (InSb)1-x )層2を50〜 230°Cの基体(基板)温度にて気相成長する工程と、前記錫-アンチモン化インジウム(Snx (InSb)1-x )層2に半導体素子領域(能動領域)3を形設する工程とを具備して成ることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

アンチモン化インジウム(InSb)からなる基体上に錫-アンチモン化インジウム(Snx (InSb)1-x )層を具50〜 230°Cの基板温度で気相成長する工程と、前記錫-アンチモン化インジウム層に半導体素子領域(能動領域)を形設する工程とを具備して成ることを特徴とする化合物半導体素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/10

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平3-106017