特許
J-GLOBAL ID：200903039533737020
真空処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-130119
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335630
出願日： 1994年06月13日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：
【要約】【構成】被処理物を保持したときに被処理物とステージ3の間の隙間が一様ではないような所定の構造の、加熱あるいは冷却機能を持つステージ3を用い、その隙間に熱伝導率のよいガスと悪いガスからなる混合ガスを導入する。ガスの混合比を変えることによって、被処理物とステージ3の間の熱通過率の分布を変化させ、被処理物の温度分布を変化させる。あるいは、被処理物とステージの間の接触面あるいは空間を複数の領域に分け、各領域のガスの圧力を個々に制御することにより被処理物の温度分布を変化させる。【効果】真空処理装置によって、被処理物の均一な加熱冷却が実現でき、半導体プロセスでは、ウエハ温度を均一にすることができ、より微細で高性能な半導体が製造できるようになる。
請求項（抜粋）：
真空ポンプと真空チャンバと被処理物を保持するステージと前記ステージを加熱あるいは冷却する加熱冷却器を有する真空処理装置において、前記ステージと前記被処理物の間の接触面あるいは空間に複数種類のガスからなる混合ガスを導入し、前記ガスの混合比を変えることにより、前記被処理物と前記ステージの間の熱通過率を変え、前記被処理物の温度ならびに温度分布を制御することを特徴とする真空処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H01L 21/205
