特許
J-GLOBAL ID：200903039536401350
プラズマ発生方法およびその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-072674
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045097
出願日： 1993年03月31日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、高真空の下で高密度で且つ均一性に優れ、これにより微細化加工性が向上すると共にデバイスへの損傷が少ないプラズマ発生方法及び装置を提供する【構成】 真空室内の下部に試料台2が配置されており、真空室内における試料台2の上方に該試料台2と対向して対局電極(図示は省略している。)が配置されている。試料台2と対局電極との間の空間の側方には該空間を円周状に囲み且つ下端が試料台2の上面とほぼ同じ高さになるように側方電極4、5、6が配置されている。各側方電極4、5、6には周波数が同じで位相が周方向に順次異なる高周波電力が印加されており、試料台2、対局電極及び各側方電極4、5、6によって囲まれたプラズマ発生部20には、該プラズマ発生部20内の電子に回転運動をさせるような回転電場が励起されている。
請求項（抜粋）：
プラズマ真空室内のプラズマ発生部の側方に互いにほぼ等しい高さを有する3以上の側方電極をほぼ同じ高さ位置になるように配置すると共に前記プラズマ発生部の下部に試料台をその上面が前記3以上の側方電極の下端とほぼ同じ高さ位置になるように配置する工程と、前記3以上の側方電極に周波数が同じで位相が順次異なる高周波電力を印加して前記プラズマ発生部に該プラズマ発生部内の電子に回転運動をさせる回転電場を励起することにより、前記プラズマ発生部に高密度で均一なプラズマを発生させる工程とを有するプラズマ発生方法。
IPC (4件)：
H05H 1/46
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/302
