特許

J-GLOBAL ID：200903039539029680

ラピッドサーマルプロセッシング方法及び装置

発明者： ▲呉▼ 孝哲
出願人/特許権者： 茂徳科技股▲ふん▼有限公司 ,  台灣茂▲せき▼電子股▲ふん▼有限公司 ,  ジーメンス・アー・ゲー
代理人 (1件)： 亀谷 美明 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-028052
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077037
出願日： 2000年02月04日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】 配合ガス中での半導体ウエハの熱的プロセッシングの間、ウエハの表面の温度分布の均一性を改善する。【解決手段】 半導体ウエハのラピッドサーマルプロセッシング装置が開示されている。この装置は、配合ガスを予熱する予熱ユニットと、プロセッシングチャンバと、ウエハを加熱するための熱源とを有するRTP反応装置とを有する。プロセッシングチャンバはウエハホルダと、プロセッシングチャンバに配合ガスを流入させ流出させるためのガス入口及びガス出口とを有する。

請求項（抜粋）：

プロセッシングチャンバ内で動作温度において半導体ウエハを熱的にプロセッシングする方法であって、ウエハがプロセッシングされる間、ウエハを通過して配合ガスが流れる方法において、前記配合ガスを予熱温度まで予熱する過程と、前記ウエハを熱処理する間、前記プロセッシングチャンバ中に予熱された配合ガスを供給する過程とを含む方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/22 501 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/31

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/22 501 A ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/26 G

Fターム (21件)：

5F045AB02 ,  5F045AB10 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AC11 ,  5F045AC14 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045BB02 ,  5F045DP04 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ10 ,  5F045EC09 ,  5F045EE01 ,  5F045EK11 ,  5F045EK12 ,  5F045EK21 ,  5F045EK27 ,  5F045GB05 ,  5F045HA16

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 特開平3-024720
  
• 半導体ウェーハの熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-097110   出願人：三星電子株式会社
• ランプアニール装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-249667   出願人：山形日本電気株式会社
• 特開昭63-202924
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-194423   出願人：日本電気株式会社
• 特開平3-024720
  
• 特開昭63-202924