特許

J-GLOBAL ID：200903039540227267

スパッタリング装置およびスパッタリング装置のアッパシールド位置調整方法

発明者： 内田 淳一 ,  石田 進一 ,  原野 雄一
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-074297
公開番号（公開出願番号）：特開2005-264177
出願日： 2004年03月16日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：

【課題】 異常放電を抑制することにより異物発生を防止できるスパッタリング装置を提供する。【解決手段】 スパッタリング装置において、ターゲット8の側面8aまたは側面8aに対向するアッパシールド6の側面6bのいずれか一方の面がブラスト処理したブラスト面と鏡面処理した鏡面より形成されている。例えば、ターゲット8の側面8aにブラスト面と鏡面を形成する場合、領域Bをブラスト面とするとともに領域Cを鏡面にする。また、アッパシールド6の側面6bとターゲット8の側面8aとの間の距離X1に比べて、アッパシールド6の上面とバッキングプレート7との間の距離X2を大きくする。さらに、インシュレータ9の内縁部とバッキングプレート7との間の距離Yを0.254mmより大きくする。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

(a)処理チャンバと、 (b)前記処理チャンバ内に配置されたウェハを支持する支持手段と、 (c)前記処理チャンバ内で前記支持手段に対向するように配置されたターゲットと、 (d)前記ターゲットの前記支持手段に対向する側とは反対側で前記ターゲットを支持するバッキングプレートと、 (e)前記処理チャンバの内壁をスパッタ粒子から保護するように前記支持手段と前記ターゲットの間に設けられたシールドと、 (f)前記シールドと前記バッキングプレートの間に前記バッキングプレートから所定の隙間を介して配置されたアッパシールドと、 (g)前記アッパシールドの周縁部と前記バッキングプレートとの間に配置されたインシュレータとを具備し、 前記アッパシールドに前記隙間と前記処理チャンバ内を連結する貫通孔が形成されていることを特徴とするスパッタリング装置。

IPC (1件)：

C23C14/34

FI (1件)：

C23C14/34 C

Fターム (8件)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DA10 ,  4K029DC20 ,  4K029DC25 ,  4K029DC45

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-144838   出願人：株式会社日立製作所