特許
J-GLOBAL ID：200903039549110648
化合物半導体電界効果トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-190467
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036723
出願日： 1991年07月31日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】【目的】ゲート-ソース間およびゲート-ドレイン間のGaAs表面に生じる表面空乏層による寄生抵抗の増大を抑制するとともにゲート容量の増大を防止する。【構成】N型GaAsチャネル層3の上にゲート電極6aが形成され、N型GaAsチャネル層3の上にゲート電極6aからソース電極8およびドレイン電極9に向って零から次第に厚くなるN型GaAsチャネル層3よりも低いキャリア濃度のアンドープ(I型)GaAs層4が形成されている電界効果トランジスタ。
請求項（抜粋）：
動作層の上にゲート電極が形成され、前記動作層の上にゲート電極からソース電極およびドレイン電極に向って零から次第に厚くなる前記動作層よりも低いキャリア濃度の半導体層が形成されている化合物半導体電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
