半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP1999005427
公開番号（公開出願番号）：WO2001-026146
出願日： 1999年10月01日
公開日（公表日）： 2001年04月12日
要約：

【要約】CSP型の半導体装置の耐湿性や遮光性等のパッケージ特性を向上させるために、半導体ウエハ1を複数の半導体チップに分割し、その複数の半導体チップを一括して封止樹脂によって封止した後、その複数の半導体チップ間の封止樹脂を切断することによって、半導体チップの側面に封止樹脂が残されたCSP型の半導体装置を得るものである。

請求項（抜粋）：

(a)分割領域によって区画された複数のチップ形成領域を有する半導体ウエハであって、前記複数のチップ形成領域の各々が複数の半導体素子と複数のボンディングパッドとを有する半導体ウエハを準備する工程、(b)前記チップ形成領域の各々の複数のボンディングパッドに電気的に接続された導体部を形成する工程、(c)前記半導体ウエハを前記分割領域に沿って切断することにより、前記導体部が形成された複数の半導体チップに分割する工程、(d)前記分割工程後の複数の半導体チップにおいて、互いに隣接する半導体チップ間に封止用絶縁膜を形成する工程、(e)前記封止用絶縁膜を切断することによって、前記封止用絶縁膜の一部が側面に形成された複数の半導体チップを形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 21/56

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