特許

J-GLOBAL ID：200903039555484193

金属表面の処理方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 松宮 康夫
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-012369
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217199
出願日： 2001年01月19日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】 銅配線の表面に凹凸を生ぜしめることなく、再現性良く酸化物層のみを除去して清浄な前記表面を実現する。【解決手段】 銅配線が形成された基板104を設置した真空チャンバー101内を真空ポンプで排気した後、微量の酸素、具体的には銅表面に酸素の偏析が生じ、且つ酸化物層の生成を惹起しない程度の濃度の酸素を含む、銅酸化物の還元作用を有する気体(例えば水素)雰囲気を生成し、加熱ステージ101bにより基板104を400°Cで1分間加熱して、銅配線の表面を清浄化する。

請求項（抜粋）：

銅を含む金属表面を清浄化する処理方法であって、前記金属表面に酸素の偏析が生じ、且つ酸化物層の生成を惹起しない程度の濃度の酸素を含む、銅酸化物の還元作用を有する気体雰囲気中において、前記金属表面を加熱し、当該金属表面に生成された酸化物層を除去することを特徴とする金属表面の処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/306

FI (2件)：

H01L 21/88 M ,  H01L 21/302 P

Fターム (41件)：

5F004AA11 ,  5F004BB13 ,  5F004BC08 ,  5F004CA04 ,  5F004CB09 ,  5F004DA00 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26 ,  5F004DB08 ,  5F004EB02 ,  5F004FA08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ85 ,  5F033QQ91 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033TT02 ,  5F033XX14