特許

J-GLOBAL ID：200903039556500540

半導体ディスク装置

発明者： 上田 国生 ,  坂本 広幸
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-203649
公開番号（公開出願番号）：特開平6-052691
出願日： 1992年07月30日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】【目的】フラッシュEEPROMを使用した半導体ディスク装置の寿命向上を図る。【構成】書き込み単位が互いに異なる2種類のフラッシュEEPROMチップ11-1〜11-m,12-1〜12-nが混在されており、それらフラッシュEEPROMチップが書き込みデータのデータサイズに応じて選択的に使用される。したがって、書き込みデータのデータサイズから、書き込み単位の異なる複数種のフラッシュEEPROMチップ11-1〜11-m,12-1〜12-nの中から最も適したチップを選び書き込みを行うことができ、消去回数に限界のあるフラッシュEEPROMを有効に利用して動作速度の低下を招かずに装置全体としての寿命を延ばすことが可能となる。

請求項（抜粋）：

フラッシュEEPROMを備えた半導体ディスク装置において、書き込み単位が互いに異なる複数種のフラッシュEEPROMチップと、これらフラッシュEEPROMチップをリード/ライトアクセスするメモリアクセス手段と、書き込みデータのデータサイズに応じてライトアクセス対象のフラッシュEEPROMチップが切り替えられるように、前記メモリアクセス手段のアクセス先を制御するアクセス先制御手段とを具備することを特徴とする半導体ディスク装置。