特許

J-GLOBAL ID：200903039559201382

放射線を発する半導体チップ

発明者： シュテファン バーダー ,  ミヒャエル フェーラー ,  ベルトルト ハーン ,  フォルカー ヘルレ ,  ハンス-ユルゲン ルーガウアー
出願人/特許権者： オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
代理人 (4件)： 矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也 ,  ラインハルト・アインゼル
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-072671
公開番号（公開出願番号）：特開2007-201493
出願日： 2007年03月20日
公開日（公表日）： 2007年08月09日
要約：

【課題】技術的に簡単にかつこれにより安価に製造可能であって高い外部量子効率を有する、III-V窒化物半導体材料をベースとした放射線を発する半導体チップを得ること【解決手段】薄層素子が、p型の側で導電性の支持体上に被着されていて、n型の側で接触面を有しており、薄層素子の接触面に隣接する緩衝層がAlGaNベースの材料を有しており、前記緩衝層の接触面の方を向いた側が接触面とは反対の側よりも高いAl含有量を有しており、かつ前記緩衝層はIII-V窒化物半導体材料からなる多数の導電性の領域を有し、前記緩衝層の残りの領域は他のIII-V窒化物半導体材料を有することを特徴とする、n型の側およびp型の側を備えたIII-V窒化物半導体材料からなる多数の層を有している、放射線を発する半導体チップ。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

n型の側およびp型の側を備えたIII-V窒化物半導体材料からなる多数の層を有している、薄層素子(11)を有するIII-V窒化物半導体材料をベースとした放射線を発する半導体チップにおいて、 薄層素子(11)が、p型の側で導電性の支持体(5)上に被着されていて、n型の側で接触面(12)を有しており、 薄層素子(11)の、接触面(12)に隣接する緩衝層が、AlGaNベースの材料を有しており、前記緩衝層の接触面(12)の方を向いた側が、接触面(12)とは反対の側よりも高いAl含有量を有しており、かつ前記緩衝層はIII-V窒化物半導体材料からなる多数の導電性の領域を有し、前記緩衝層の残りの領域は他のIII-V窒化物半導体材料を有することを特徴とする、III-V窒化物半導体材料をベースとした放射線を発する半導体チップ。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (7件)：

5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041AA42 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77

引用特許：

出願人引用 (2件)

• US5679152
  
• US5786606