特許
J-GLOBAL ID：200903039560150260
投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高梨 幸雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-247586
公開番号（公開出願番号）：特開平7-078753
出願日： 1993年09月07日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 レチクル面の照明分布を適切に設定し高解像力の投影パターン像が得られる投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法を得る。【構成】 光源1からの光束で照明系により被照射面12上のパターンを照明し、該パターンを投影光学系により基板面上に投影し露光する際、該照明系は該光源からの光束を集光して2次光源を形成し、該2次光源を該投影光学系13の瞳面14近傍に結像する光学系を有しており、該被照射面又は該基板面15又はこれらと共役な位置に入射する光束の角度分布を変化させる為の入射角度によって透過率が異なる光学薄膜121を該照明系内又は該照明系と該基板面との間の光路中に設けている。
請求項（抜粋）：
光源からの光束で照明系により被照射面上のパターンを照明し、該パターンを投影光学系により基板面上に投影し露光する際、該照明系は該光源からの光束を集光して2次光源を形成し、該2次光源を該投影光学系の瞳面近傍に結像する光学系を有しており、該被照射面又は該基板面又はこれらと共役な位置に入射する光束の角度分布を変化させる為の入射角度によって透過率が異なる光学薄膜を該照明系内又は該照明系と該基板面との間の光路中に設けていることを特徴とする投影露光装置。
IPC (2件)：
前のページに戻る
