特許

J-GLOBAL ID：200903039561708176

半導体装置の製造方法および半導体製造装置

発明者： 内藤 康志 ,  藤居 豊和
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-000631
公開番号（公開出願番号）：特開平5-182962
出願日： 1992年01月07日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：

【要約】【目的】 スパッタによる金属膜堆積の段差被覆性を向上させ、微細で高アスペクト比コンタクトの特性を改善する。【構成】 スパッタ装置のタ-ゲット14と被堆積基板18の間に、板面から適当な角度傾いた円筒の集合からなるハニカム板16を設置し、堆積中にこのハニカム板16もしくは被堆積基板18を面内で回転させる。【効果】 上記ハニカム板によりスパッタ粒子は被堆積基板に垂直でない適当な角度分布をもつものだけに制限される。コンタクトホ-ルのアスペクト比によってこの角度を適当にすれば、コンタクト内の特定の向きの壁に対する金属膜の被覆性を向上できる。また、被堆積基板もしくはハニカム板を回転することですべての向きの垂直壁に均等に堆積することができる。これにより、微細で高アスペクト比のコンタクトの特性を改善できる。

請求項（抜粋）：

スパッタリング堆積方法であって、基板に飛着する粒子が基板垂直軸から傾いた軸方向にある分布もってコリメ-トされ、時間積分した入射角分布が基板垂直軸に対して実効的に4の自然数倍回あるいは無限大回の回転対称になることを特徴とする半導体装置の製造方法。