特許
J-GLOBAL ID：200903039563339151
マスクROMおよびマスクROMの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-099298
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299613
出願日： 1992年04月20日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：
【要約】【目的】特性が安定し、ゲート酸化膜質劣化がなく、フラッシュメモリとマスクROMのオンチップ化において、コストダウンを図ることが可能なマスクROMを提供する。【構成】マスクROMにおいて、書換えを行うビットに、ソース領域およびドレイン領域と異なる極性を有し、かつソース領域およびドレイン領域からチャネル下へ引き延ばされた逆導電型半導体領域を形成する。【効果】チャネル注入方法によるマスクROMの書換えを、ゲートスルーによるイオン注入で行わないため、高エネルギーイオン注入を行う必要がなく、ΔRpが小となり、閾値電圧VTHのばらつきが少なく、特性が安定する。また、イオン打ち込み時間が短縮される。
請求項（抜粋）：
マスクROMにおいて、書換えを行うビットに、ソース領域およびドレイン領域と異なる極性を有し、かつソース領域およびドレイン領域からチャネル下へ引き延ばされた逆導電型半導体領域を形成したことを特徴とするマスクROM。
引用特許：
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