半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-049357
公開番号（公開出願番号）：特開2003-249654
出願日： 2002年02月26日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：

【要約】【課題】簡便な構造および方法によってターンオフ時のスイッチング特性を改善したIGBTの構成を有する半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体装置10のN+型バッファ層15を形成した側の主面に、研削によって凹面部22a,22bを形成する。コレクタ電極膜21は、N+型バッファ層15およびN-型ベース層12と接続されるので、半導体装置10はIGBTの構成とMOSFETの構成との双方を併せ持つ。また、シリコン基板11の第2の主面下に形成された結晶欠陥24において注入された正孔を捕捉することが可能である。よって、従来技術に係る半導体装置よりも、オフ時のスイッチング特性を改善することが容易にできる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の第1の主面上にゲート電極およびエミッタ電極を形成し、前記半導体基板の第2の主面上にコレクタ電極を形成してなる半導体装置において、前記半導体基板に、前記第2の主面に露出するように形成してなる第1導電型の第1の導電層と、該第1の導電層に積層させて形成してなる第1導電型の第2の導電層を設け、前記第2の主面に前記第1の導電層を貫通する凹面部を形成して第2の導電層を露出させるとともに、前記凹面部を含む前記第2の主面を粗面化し、前記コレクタ電極を前記第1の導電層と前記第2の導電層とにショットキー接続させてなることを特徴とする半導体装置。

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開平4-014263
複合型半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-055550 出願人：松下電子工業株式会社
特開昭59-084474

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審査官引用 (5件)

特開平4-014263
複合型半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-055550 出願人：松下電子工業株式会社
特開昭59-084474

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