特許
J-GLOBAL ID:200903039564452229

半導体装置用リードフレーム

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴江 武彦 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-135181
公開番号(公開出願番号):特開平11-036027
出願日: 1998年05月18日
公開日(公表日): 1999年02月09日
要約:
【要約】【課題】 打抜加工性、耐食性、耐応力腐食割れ性、強度、導電性、製造加工性などに優れた半導体装置用リードフレームを提供することを目的とする。【解決手段】 Znを5〜35wt%、Snを0.1〜3wt%含み、残部Cuと不可避的不純物からなる銅合金部材上にPdが層状に形成されていることを特徴とする。また、この銅合金は、更に、Pb、Bi、Se、Te、Ca、Srおよび希土類元素からなる群より選ばれた1種又は2種以上を総計で0.001〜0.5wt%、更にまた、Ni、Si、Cr、Zr、Fe、Co、Mn、Al、Ag、MaおよびPからなる群より選ばれた1種又は2種以上を総計で0.001〜1wt%含むことが出来る。
請求項(抜粋):
Znを5〜35wt%、Snを0.1〜3wt%含み、残部Cuと不可避的不純物からなる銅合金部材上にPdが層状に形成されていることを特徴とする半導体装置用リードフレーム。
IPC (3件):
C22C 9/04 ,  C23C 28/02 ,  H01L 23/48
FI (3件):
C22C 9/04 ,  C23C 28/02 ,  H01L 23/48 V
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開平1-162737
  • 特開平4-174546
  • 特開平4-337657

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