特許

J-GLOBAL ID：200903039564900426

表面分析法及びその装置

発明者： 長谷川 正樹 ,  二宮 健
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-316796
公開番号（公開出願番号）：特開平6-160314
出願日： 1992年11月26日
公開日（公表日）： 1994年06月07日
要約：

【要約】【目的】 本発明は,試料の元素あるいはその化学状態分析を,高空間分解能で行える3次元分析装置を提供する。【構成】 光学素子3により軟X線から真空紫外線をエネルギーを変えて集光し,試料4面上の微小な領域からの光電子信号強度の変化を検出器10を用いて測定し,光電子信号強度の変化から,最小自乗法を用いた逆変換法を用いて計算機11により深さ方向分布を求め,合わせて試料台7を移動し集光点を走査することにより,試料4の構成元素(あるいはその化学結合状態)についての3次元分布を得る。【効果】 最小自乗法を利用した逆変換法を採用することにより,光電子信号強度の測定値に含まれるノイズ等の誤差の影響を低減できるので,微弱な光電子信号強度しか得られない,例えばマイクロビームを用いたXPS,UPSにおいても高精度な深さ方向分析ができ,高い空間分解能で3次元分析が可能となる。

請求項（抜粋）：

光学素子により集光された軟X線から真空紫外線の照射により試料面から放出される電子を観測する表面分析方法において,入射させる軟X線から真空紫外線のエネルギーを変化させながら,その変化と同期して特定の結合エネルギーに対応する放出電子のみを検出し,検出信号を最小自乗法を利用して逆変換することにより,照射領域における特定の元素あるいはその化学状態の深さ方向分布を得ながら,この入射光集光点を試料面上で走査することにより,元素あるいはその化学状態の3次元分布を得る表面分析法。