特許
J-GLOBAL ID：200903039565543031
薄膜形成装置及び薄膜形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-350262
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201752
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】 薄膜形成装置及び薄膜形成方法を改良することにより、装置全体の小型化と製品の品質向上を図る。【構成】 反応容器10、排気手段30、不活性ガス供給手段40、原料ガス供給手段50、基板温度制御手段、反応容器温度制御手段及び前記排気手段30、不活性ガス供給手段40、原料ガス供給手段50をそれぞれ制御する制御手段(図示せず)とによって構成されており、前記反応容器10は、反応容器本体11、被塗膜基板Aを載せる載置台17、前記反応容器本体11内に昇降可能に収容され、降下した状態で被塗膜基板Aを覆って薄膜形成時の反応空間を小さくする収容凹部19を備えた内容積変更ブロック18及びこの内容積変更ブロック18の昇降手段としての昇降シリンダ22とから構成されている。
請求項（抜粋）：
反応容器内に被塗膜基板を収容するとともに原料ガスを供給し、この反応容器内で前記被塗膜基板に薄膜を形成するようにした薄膜形成装置において、前記反応容器の内容積を変化させる内容積可変手段を設けた薄膜形成装置。
IPC (5件)：
H01L 21/205
, C23C 14/24
, C30B 25/08
, C30B 25/14
, H01L 21/31
