特許
J-GLOBAL ID：200903039566016388
バイポーラトランジスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-014966
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213707
出願日： 1996年01月31日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：
【要約】【課題】 L型ベース電極を形成する方法において、従来はフォトリソグラフィーのマスク合わせ工程が2回必要であったため、微細化するには限界があり、ベース・コレクタ間容量が小さくならないという課題があった。本発明はマスク合わせの回数を減らすことによりL型ベース電極の微細化を可能とする。【解決手段】 L型ベース電極の上部のAuを形成するためにエミッタ電極27とエミッタに自己整合的に側壁35を形成する。さらに、Au膜36を形成後、側壁35をベーキングで広げることにより、エッチング用マスクとしても用いる。L型ベース電極を形成するための、マスク合わせが不要となるために、微細化が可能である。また、L型ベース電極の形状がエミッタをはさんで左右対称となるために良好な高周波特性が得られる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、コレクタ領域、ベース領域、エミッタ領域から構成されるバイポーラトランジスタの製造方法において、メサ型の前記エミッタ領域(または前記コレクタ領域)に近接して、前記ベース領域に対してオーミック接触をする第一の金属膜を形成する工程と、前記エミッタ領域(または前記コレクタ領域)と前記第一の金属膜の一部を覆う樹脂膜を形成する工程と、前記樹脂膜に覆われていない前記第一の金属膜上に低抵抗の第二の金属膜を形成する工程と、前記樹脂膜のパターンを広げてエッチングマスクにすることにより、少なくとも前記第二の金属膜、前記第一の金属膜をエッチングして、断面がL型を有するベース電極を形成する工程とを有することを特徴とするバイポーラトランジスタの製造方法。
IPC (2件)：
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