特許

J-GLOBAL ID：200903039575458172

単結晶シリコンにおける連続的成長用システム

発明者： デーヴィッド・エル・ベンダー
出願人/特許権者： ソーライクス・インコーポレイテッド
代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-501001
公開番号（公開出願番号）：特表2008-531444
出願日： 2005年02月25日
公開日（公表日）： 2008年08月14日
要約：

単結晶インゴットの連続的な成長のためのチョコラルスキー法に基づく改良されたCZシステムは、結晶を囲む選択的な堰を有する、低アスペクト比で大きい直径の、実質的に平面状の坩堝を備える。低アスペクト比の坩堝は、完成品の単結晶シリコンインゴット中の実質的に対流を除去して酸素含有量を低減する。異なる基準で制御されたシリコンプレ溶融炉チャンバは、結晶引上処理中の垂直移動及び坩堝引上システムの必要性を有利に除去した、成長坩堝への溶融シリコンの連続的な供給源を提供する。坩堝下方の複数のヒータは、溶融物に亘る対応する温度ゾーンを構築する。ヒータの温度出力は、改良された結晶成長のために溶融物に亘ってそして結晶/溶融物界面で最適温度制御を提供するために個々に制御される。複数の結晶引上チャンバは、連続的処理及び高スループットを提供する。

請求項（抜粋）：

溶融結晶原料からの単結晶インゴットの成長用の改良されたCZシステムであって、 溶融材料からのインゴットを成長させるための種結晶に対して溶融物/結晶界面で溶融材料を保持するための底面及び側壁を有する低アスペクト比で大きい直径の坩堝と、 前記坩堝を垂直移動することなく前記溶融物/結晶界面が所望の基準(レベル)で保持されるように、実質的に連続する溶融結晶原料の供給源を前記坩堝に提供するためのプレ溶融炉と、 最適な結晶成長のために、前記溶融物に亘って、そして、結晶溶融物界面での、均一な温度分布を提供するための、前記坩堝の底面下方に配置される環状加熱手段と、を備える、改良されたCZシステム。

IPC (3件)：

C30B 29/06 ,  C30B 15/14 ,  C30B 15/10

FI (4件)：

C30B29/06 502B ,  C30B29/06 502E ,  C30B15/14 ,  C30B15/10

Fターム (27件)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF09 ,  4G077EA01 ,  4G077EB03 ,  4G077EC10 ,  4G077EG01 ,  4G077EG02 ,  4G077EG18 ,  4G077EG25 ,  4G077EH05 ,  4G077EH07 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077PB02 ,  4G077PB05 ,  4G077PB08 ,  4G077PB11 ,  4G077PB14 ,  4G077PD01 ,  4G077PD02 ,  4G077PD03 ,  4G077PE03 ,  4G077PE12 ,  4G077PF23 ,  4G077PF28 ,  4G077PF34

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭59-035094