特許

J-GLOBAL ID：200903039581844670

薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者： 堅田 満孝 ,  鶴田 和弘 ,  藤野 誠二
出願人/特許権者： 日本電装株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-024091
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226657
出願日： 1992年02月10日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：

【要約】【目的】この発明は、低抵抗でソースおよびドレインにおいてリークの少ない、高速で微細化可能な薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供することを目的としている。【構成】下地基板11上に絶縁層12を介して、ウエハ面が(100)面に対応するようにして薄膜単結晶層13を形成し、この上にゲート絶縁膜14を形成する。そして、ゲート位置に対応してゲート電極161 を形成する。その後、ゲート電極161をマスクとして薄膜単結晶層13に不純物を注入して非晶質化し、600°Cの低温で熱処理し、ゲート電極161 直下の単結晶を核として固相成長させて単結晶化して、ソース領域131 、ドレイン領域132 とする。この場合、ソース領域131 およびドレイン領域132 それぞれとゲート電極161 直下の領域133 とは、(100)面と等価な面で接せられるようにしている。

請求項（抜粋）：

絶縁膜上に形成され、その表面が(100)面に平行な面に設定された単結晶半導体膜にイオン注入によって形成された高濃度領域と、前記単結晶半導体膜に前記高濃度領域に接する状態で形成され、前記高濃度領域と共にトランジスタを形成するそれ以外の領域とを備え、前記高濃度領域と前記それ以外の領域とは、前記(100)面と等価な面で自己整合的に接するようにしたことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/784 ,  H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-241854
  
• 特開昭63-146869
  
• 特開平1-138760