プラズマ処理方法とプラズマ処理装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮井暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-238999
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068254
出願日： 1998年08月25日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：

【要約】【課題】高密度プラズマであってもラジカル密度が低下しないプラズマ処理方法とプラズマ処理装置を得る。【解決手段】真空に排気されたプラズマ生成室1に、処理ガスを導入すると共に高周波電力を供給することによりプラズマを発生させ、試料処理台9に設置された被加工試料表面を該プラズマにさらすことによって処理する装置であって、試料処理台外周部から試料処理室側面壁までの空間領域Bにおけるプラズマ密度を、試料処理台直上の空間領域Aにおけるプラズマ密度より小さくしたことを特徴とするものである。

請求項（抜粋）：

真空に排気された試料処理室に、処理ガスを導入すると共に高周波電力を供給することによりプラズマを発生させ、試料処理台に設置された被加工試料表面を該プラズマにさらすことによって処理するプラズマ処理方法であって、試料処理台外周部から試料処理室側面壁までの空間領域におけるプラズマ密度を、試料処理台直上の空間領域におけるプラズマ密度より小さくすることを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (7件)：

H01L 21/3065 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H01L 21/31 , H05H 1/46

FI (8件)：

H01L 21/302 B , C23C 16/50 , C23F 4/00 A , H01L 21/203 S , H01L 21/205 , H01L 21/31 C , H05H 1/46 A , H05H 1/46 L

Fターム (58件)：

4K030CA04 , 4K030DA04 , 4K030EA06 , 4K030FA04 , 4K030HA07 , 4K030HA08 , 4K030JA07 , 4K030JA09 , 4K030JA16 , 4K030JA20 , 4K030KA12 , 4K030KA30 , 4K030KA32 , 4K030KA34 , 4K030LA15 , 4K057DA16 , 4K057DD01 , 4K057DD02 , 4K057DE08 , 4K057DE14 , 4K057DE20 , 4K057DG12 , 4K057DG15 , 4K057DM01 , 4K057DM06 , 4K057DM17 , 4K057DM22 , 4K057DM28 , 5F004BA20 , 5F004BB07 , 5F004BB13 , 5F004BB28 , 5F004BC03 , 5F004BD04 , 5F004BD05 , 5F004BD06 , 5F004CA02 , 5F004DA01 , 5F004DA16 , 5F004DA23 , 5F004DB03 , 5F045AA08 , 5F045AA19 , 5F045DP02 , 5F045DQ11 , 5F045EB02 , 5F045EE12 , 5F045EH01 , 5F045EH02 , 5F045EH04 , 5F045EH06 , 5F045EH11 , 5F045EH16 , 5F103AA08 , 5F103AA10 , 5F103BB15 , 5F103BB23 , 5F103PP15

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