特許

J-GLOBAL ID：200903039584246749

無機カルコゲナイドガラスを用いたグレースケールマスク及び深さパターン転写技術

発明者： ブロック バリー ,  ソーントン アーノルド オー ,  イングヴェルゼン ヤン ,  ダッシュナー ヴァルター
出願人/特許権者： エアリアル イメージング コーポレイション
代理人 (1件)： 中村 稔 (外6名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-549320
公開番号（公開出願番号）：特表2000-514933
出願日： 1998年05月15日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：

【要約】高解像度の拡張したアナロググレースケールマスクを生産する方法が開示されている。薄い銀の層で被覆されたセレニウム・ゲルマニウムのような無機カルコゲナイドガラスを用いて、ピクセルのサイズ、均一性、及び変化を精密にコントロールしたグレースケールマスクが生産される。セレニウム・ゲルマニウムガラスは基板に垂直に配列されたカラム構造から構成され、100オングストロームの精度の縁部を可能にする。また、カラム構造はエッチングプロセス中のアンダーカットを防止するので、ピクセルを互いに近接配置することができる。従って、セレニウム・ゲルマニウムは拡張したアナロググレースケールと共に高解像度のグレースケールマスクとして用いることができる。グレースケールマスクは無機基板上のセレニウム・ゲルマニウムフォトレジスト層上の変調された厚さとして情報を刻印するのに用いられる。セレニウム・ゲルマニウムフォトレジスト層はその後、グレースケールを基板に転写する。

請求項（抜粋）：

第1の基板上にカルコゲナイドガラスを積層する段階と、 前記カルコゲナイドガラス上に銀含有層を積層する段階と、 グレースケールパターンで前記銀含有層の一部分を選択的に照射して、グレ ースケールパターン内で前記カルコゲナイドガラス中に銀を拡散させる段階と 、 前記銀含有層をエッチング除去して、銀の除去により前記カルコゲナイドガ ラスを露出させて、かつ、前記カルコゲナイドガラスに拡散した銀は除去せず に残す段階と、 露出したカルコゲナイドガラスをエッチングして、前記グレースケールパタ ーンを表現した銀の拡散したカルコゲナイドガラスの層を前記第1の基板上に 残す段階と、 を備えたことを特徴とするグレースケールマスクを製造する方法。

IPC (3件)：

G03F 1/08 ,  B81B 1/00 ,  B81C 1/00

FI (3件)：

G03F 1/08 H ,  B81B 1/00 ,  B81C 1/00