特許
J-GLOBAL ID：200903039591986731
半導体製造用サセプタ
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-227459
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086379
出願日： 1993年09月13日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：
【要約】【構成】窒化アルミニウムを主体とする焼結体からなる基体2の表面に窒化アルミニウムからなる薄膜3を0.001〜1.0mmの厚みで形成してなり、基体2内部に、発熱回路4および/または導電回路5を形成したものを半導体製造用サセプタとして用いる。【効果】耐プラズマ性に優れるためプラズマエッチング中でのサセプタの長寿命化が達成でき、しかも、均熱性を有し、発熱回路などを内蔵する場合において、半導体の加熱の均一化を達成することができる。
請求項（抜粋）：
窒化アルミニウムを主体とする焼結体からなる基体の表面に、窒化アルミニウムからなる薄膜を0.001〜1.0mmの厚みで形成してなることを特徴とする半導体製造用サセプタ。
IPC (3件)：
H01L 21/68
, C04B 41/87
, H01L 21/3065
