特許

J-GLOBAL ID：200903039593993492

シリコン窒化膜及びその形成方法並びに半導体装置

発明者： 大見 忠弘 ,  関根 克行 ,  斉藤 祐司 ,  平山 昌樹 ,  新田 雄久
出願人/特許権者： 大見 忠弘 ,  株式会社ウルトラクリーンテクノロジー開発研究所
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-134660
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150512
出願日： 1999年04月06日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】本発明は、膜中の電子またはホールトラップがない、均一膜厚の薄層シリコン窒化膜およびその形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、処理室に窒素ガスを含む混合ガス、またはアンモニアを含む混合ガスを導入し、該処理室内に載置されたシリコン基体表面を直接窒化して形成したシリコン窒化膜であって、Si-H結合および/またはN-H結合を有することを特徴とする。また、形成方法は、処理室に窒素ガス、不活性ガス、水素ガス、および/または不活性ガス、アンモニアガスを含むガスを導入して、プラズマを生起し、該処理室内に載置されたシリコン基体表面を直接窒化する事を特徴とする。

請求項（抜粋）：

処理室に窒素ガスを含む混合ガスを導入し、該処理室内に載置されたシリコン基体の表面を直接窒化して形成したシリコン窒化膜であって、Si-H結合および/またはN-H結合を有することを特徴とするシリコン窒化膜。

Fターム (9件)：

5F058BA06 ,  5F058BA11 ,  5F058BC08 ,  5F058BF30 ,  5F058BF54 ,  5F058BF60 ,  5F058BF74 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ10

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭56-084462
  
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-153357   出願人：東京エレクトロン株式会社, 後藤尚久, 安藤真, 高田潤一, 堀池靖浩
• 特開平3-212938