特許
J-GLOBAL ID:200903039597135822

メモリモジュール

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-032822
公開番号(公開出願番号):特開2002-237180
出願日: 2001年02月08日
公開日(公表日): 2002年08月23日
要約:
【要約】【課題】 メモリモジュールの容量等の条件に関わらず、安定した波形品質を保持可能なメモリモジュールを提供する。【解決手段】 メモリモジュールに信号が入力される部位とメモリ素子(DRAM2a)を接続する信号線から抵抗3、コンデンサ4を有する負荷回路を分岐して分岐線を設置する。信号線に対して、負荷回路に接続する分岐線とメモリモジュールに繋がる信号線とで、チップ抵抗ソケット(6a、6b)を設置している。もし、メモリ素子が搭載されない場合は、チップ抵抗ソケット6bに0Ωのチップ抵抗を挿入して、メモリモジュールに入力された信号は負荷回路に向かう。これにより、メモリモジュール全体として見た場合、擬似的にメモリ素子の搭載された状況と同一の状況をつくり出す。
請求項(抜粋):
メモリモジュールの容量及びメモリ素子の搭載内容に応じたコンデンサ及び抵抗を有する負荷回路と、前記負荷回路と前記メモリ素子に接続する信号線との接続の切り替え手段と、を有することを特徴とするメモリモジュール。
IPC (2件):
G11C 5/00 303 ,  G11C 11/41
FI (2件):
G11C 5/00 303 Z ,  G11C 11/34 K
Fターム (8件):
5B015HH01 ,  5B015HH03 ,  5B015JJ00 ,  5B015KB91 ,  5B015NN01 ,  5B015PP02 ,  5B015QQ10 ,  5B015QQ11

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