特許
J-GLOBAL ID：200903039597652576
低誘電率材料、層間絶縁膜及びIC基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-008705
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209142
出願日： 1997年01月21日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、LSI用層間絶縁膜、IC基板などに利用される、比誘電率が3.0未満の低誘電率材料を提供するものである。【解決手段】 MO-[SiR1 R2 -O]8-50-M(R1 ,R2 は有機基、MはB,Al,Si,Ti,Ge,Y,Zr,Nb,Taの中から選ばれた少なくとも1種類の元素)で表される分子構造(A)ならびに、MO-[SiR3 R4-O]1-7 -M(R3 ,R4 は有機基、MはB,Al,Si,Ti,Ge,Y,Zr,Nb,Taの中から選ばれた少なくとも1種類の元素)で表される分子構造とを含むことにより、低誘電率材料が得られる。分子構造(A)は低密度化することにより低誘電率に寄与する。分子構造(B)は、材料を硬くし、固有振動数が上げるため、固有振動数の2乗に反比例して原子分極を下げる効果がある。
請求項（抜粋）：
(A)一般式MO-[SiR1 R2 -O]8-50-M(R1 ,R2 は有機基、MはB,Al,Si,Ti,Ge,Y,Zr,Nb,Taの中から選ばれた少なくとも1種類の元素)で表される分子構造、ならびに(B)一般式MO-[SiR3 R4 -O]1-7 -M(R3 ,R4 は有機基、MはB,Al,Si,Ti,Ge,Y,Zr,Nb,Taの中から選ばれた少なくとも1種類の元素)で表される分子構造とを含むことを特徴とする低誘電率材料。
IPC (3件)：
H01L 21/312
, H01B 3/46
, H01L 21/768
H01L 21/312 B
, H01B 3/46 Z
, H01L 21/90 Q
