レベル変換回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井桁貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-288814
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140906
出願日： 1992年10月27日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】入力信号レベルが所定の高電位レベルのときの変換手段の入力レベルを適正化してTTLからBi-CMOSへのレベル変換を正しく行う。【構成】所定の高電位VH を有する第1の電源線10と、前記高電位VH よりも低い低電位VL を有する第2の電源線11と、中間電位VM を有する第3の電源線12と、第1の電源線10と第2の電源線11との間に順次に接続された、負荷素子又は定電流源13、第1のスイッチ手段14及び第2のスイッチ手段15と、第1のスイッチ手段14と第2のスイッチ手段15との間のノード電位が前記中間電位VM に相当する電位を越えたときにノード電位を中間電位相当の電位にクランプするクランプ手段16と、前記ノード電位を所定論理レベルの信号VOUT に変換して出力する変換手段17とを備え、入力信号VIN の論理状態に応じて第1、第2のスイッチ手段14と15を相補的にオン/オフ動作させ、変換手段17の入力のクランプおよび低電位レベル電源との接続遮断を行う。

請求項（抜粋）：

所定の高電位(VH )を有する第1の電源線(10)と、前記高電位(VH )よりも低い低電位(VL )を有する第2の電源線(11)と、前記高電位(VH )よりも低くかつ前記低電位(VL )よりも高い中間電位(VM )を有する第3の電源線(12)と、前記第1の電源線(10)と第2の電源線(11)との間に順次に接続された、負荷素子又は定電流源(13)、第1のスイッチ手段(14)及び第2のスイッチ手段(15)と、前記第1のスイッチ手段(14)と第2のスイッチ手段(15)との間のノード電位が前記中間電位(VM )に相当する電位を越えたときに当該ノード電位を同中間電位相当の電位にクランプするクランプ手段(16)と、前記ノード電位を所定論理レベルの信号(VOUT )に変換して出力する変換手段(17)とを備え、前記論理レベルとは異なる論理レベルで変化する入力信号(VIN )の論理状態に応じて前記第1のスイッチ手段(14)と第2のスイッチ手段(15)とを相補的にオン/オフ動作させることを特徴とするレベル変換回路。

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