特許

J-GLOBAL ID：200903039601277793

有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器

発明者： 野澤 陵一
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-309101
公開番号（公開出願番号）：特開2003-115380
出願日： 2001年10月04日
公開日（公表日）： 2003年04月18日
要約：

【要約】【課題】有機EL素子を構成する積層体を基板上に形成する工程を有する有機EL装置の製造方法において、この方法で得られる有機EL装置の厚さを薄くし、光損失を低減する。【解決手段】ガラス製の基板1上に、剥離層2として、水素を8原子%含有する非晶質シリコン膜を形成する。この剥離層2の上に、SiO2 膜3、半導体素子層4、および有機EL素子層5を順次形成した後、有機EL素子層5上に接着剤によりガラス板6を固定する。次に、ガラス基板1側からエキシマレーザ光を照射する。これにより、SiO2 膜3からガラス基板1が容易に剥離される。

請求項（抜粋）：

陽極層と陰極層と両電極層間の有機発光層とを少なくとも有する積層体を、光が照射されることで剥離作用を発揮する材料からなる剥離層を介して、基板上に形成した後に、前記剥離層に光を照射して前記積層体を基板から剥離することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。

IPC (7件)：

H05B 33/10 ,  G09F 9/00 338 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H05B 33/14

FI (6件)：

H05B 33/10 ,  G09F 9/00 338 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 Z ,  H05B 33/14 A ,  H01L 29/78 627 Z

Fターム (44件)：

3K007AB03 ,  3K007CA00 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  5C094AA10 ,  5C094AA15 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094EB10 ,  5C094FA02 ,  5C094FB01 ,  5C094FB02 ,  5C094FB14 ,  5C094FB20 ,  5C094GB10 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ11 ,  5G435AA03 ,  5G435AA17 ,  5G435AA18 ,  5G435BB05 ,  5G435CC09 ,  5G435HH01 ,  5G435KK05 ,  5G435KK10