特許

J-GLOBAL ID：200903039611224507

半導体ウェーハの研磨方法と装置

発明者： 工藤 秀雄 ,  桝村 寿 ,  山崎 正志 ,  岡田 守
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 舘野 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-356287
公開番号（公開出願番号）：特開平5-177533
出願日： 1991年12月24日
公開日（公表日）： 1993年07月20日
要約：

【要約】【目的】 シリコンウェーハの面粗さを効率的に改善,向上する。【構成】 研磨代を上げるための通常研磨をした後、シリコンウェーハを研磨布側に押圧する研磨圧力を低下させ所定時間だけ研磨を行うスパークアウト研磨工程を設けると共に、前記研磨圧力および研磨時間を研磨布,研磨剤,ウェーハ形状および材質,研磨テーブルとウェーハ保持ヘッド間の相対速度等を基にして制御装置により設定し、自動研磨を行う。

請求項（抜粋）：

研磨テーブルの表面に敷設された研磨布にウェーハ保持ヘッドに保持された半導体ウェーハを所定の研磨圧力で押圧し、前記研磨布と前記ウェーハ間に研磨剤を介在させながら該ウェーハの鏡面研磨を行う研磨方法において、研磨工程を研磨圧力の高い高荷重研磨工程と研磨圧力の低い低荷重研磨工程とから構成し、高荷重研磨工程を所定時間t0 実施した後、低荷重研磨工程を所定時間t1 だけ自動的に行うと共に、低荷重研磨工程の研磨圧力および時間t1 を研磨布,研磨剤,ウェーハ形状および材質,通常研磨工程条件等に対応して定め、所定の表面粗さに前記半導体ウェーハを研磨することを特徴とする半導体ウェーハの研磨方法。

IPC (2件)：

B24B 37/00 ,  H01L 21/304 321

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-219142
  
• 特開昭59-019672
  
• 特開平3-086468