特許
J-GLOBAL ID：200903039615240418
半導体デバイスの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
倉内 義朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-310352
公開番号（公開出願番号）：特開平8-045972
出願日： 1994年12月14日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：
【要約】【目的】回路基板に形成された多数のキャビティ内に、封止用樹脂を効率よく充填する。【構成】多数のキャビティ12が形成された多連キャビティ回路基板10に、架橋ポリオレフィン類によって構成された封止用樹脂シート20、表面成形離型シート31、および重り板32を順番に重ねて、真空加熱炉33内に入れ、真空状態で加熱する。封止用樹脂シート20は加熱されると溶融して、各キャビティ12内に充填された状態になり、さらに多連キャビティ回路基板10を加熱することにより、各キャビティ12内に充填された溶融樹脂が硬化する。
請求項（抜粋）：
上方に向かって開口する多数のキャビティが形成された多連キャビティ回路基板に対して、各キャビティ内に機能素子を配置する工程と、加熱されて溶融した後にさらに加熱を続けると架橋硬化する熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂によって所定の厚さのシート状に構成された封止用樹脂シートを、前記多連キャビティ回路基板の全てのキャビティを覆うように多連キャビティ回路基板上に重ね合わせる工程と、多連キャビティ回路基板上に重ねられた封止用樹脂シートを加熱して溶融するとともに、その溶融した樹脂が各キャビティ内に充填されるように加圧する工程と、各キャビティ内に充填された樹脂を硬化させる工程と、を包含することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/56
, C08L101/00 LTB
, H01L 33/00
, H05K 1/18
, H05K 3/28
