特許
J-GLOBAL ID：200903039616178309
磁気抵抗効果素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-158599
公開番号（公開出願番号）：特開平8-032142
出願日： 1994年07月11日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：
【要約】【目的】 構成材料にクラック等がなく接合が良好であること、構成材料間の位置精度が良好であること、サイズが小型であること、素子を磁性体に近接かつ平行に接地できる構造であることを満足する磁気抵抗効果素子及びその製造方法を提供すること。【構成】 ガラスとセラミックの混合物からなる絶縁基板1と、この絶縁基板1の表裏面間を結ぶように形成された導体メタライズ層3と、絶縁基板1表面の導体メタライズ層3と絶縁基板1の一部分上に形成された、所定の形状のガラスとセラミックの混合物からなる絶縁層2と、基板表面上に形成された所定の形状のガラスグレーズ4と、ガラスグレーズ4と絶縁層2と表面の導体メタライズ層3上に形成された所定の形状の強磁性体薄膜5とからなる。
請求項（抜粋）：
ガラスとセラミックの混合物からなる絶縁基板と、この絶縁基板の表面に、及び表裏面間を結ぶように形成された導体メタライズ層と、前記絶縁基板表面の導体メタライズ層と絶縁基板のそれぞれ一部分上に形成されたガラスとセラミックの混合物からなる絶縁層と、前記絶縁基板表面上に形成された所定の形状のガラスグレーズ層と、このガラスグレーズ層と前記絶縁層と前記導体メタライズ層との上に形成された所定の形状の磁気抵抗効果薄膜とを有する磁気抵抗効果素子。
IPC (4件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01L 43/12
