特許

J-GLOBAL ID：200903039624667165

CVD成膜方法

発明者： 清水 隆也 ,  波多野 達夫
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-354604
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189489
出願日： 1996年12月20日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】成膜された膜に生じるストレスが小さいCVD成膜方法を提供すること。【解決手段】基板をチャンバー内に装入してチャンバー内を減圧状態にしてから成膜工程を含む一連の工程を実施する間、チャンバー内圧力を略一定にしてCVDにより薄膜を成膜する。

請求項（抜粋）：

チャンバー内で被処理基板にCVDにより薄膜を形成するCVD成膜方法であって、被処理基板をチャンバー内に装入してチャンバー内を減圧状態にしてから成膜工程を含む一連の工程を実施する間、チャンバー内圧力を略一定にすることを特徴とするCVD成膜方法。

IPC (3件)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/88 M

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開平3-111568
  

審査官引用 (1件)

• 特開平3-111568