特許
J-GLOBAL ID：200903039630635682
斜め蒸着膜素子
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-270061
公開番号（公開出願番号）：特開平11-109129
出願日： 1997年10月02日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】 斜め蒸着膜の柱状構造の緩和・白濁を防止し、また、膜材料として使用する物質に対して依存性の少ない斜め蒸着膜素子を提供する。【解決手段】 基板上に形成された斜め蒸着膜を有する斜め蒸着膜素子であって、該斜め蒸着膜素子の最上層にプラズマCVD法によりSiO2膜が形成されてなることを特徴とする斜め蒸着膜素子。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された斜め蒸着膜を有する斜め蒸着膜素子であって、該斜め蒸着膜素子の最上層にプラズマCVD法によりSiO2膜が形成されてなることを特徴とする斜め蒸着膜素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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