特許

J-GLOBAL ID：200903039632344570

ダイヤモンド半導体及びダイヤモンド半導体デバイス並びにそれらの製造方法

発明者： 飯田 昌盛 ,  黒須 楯生 ,  秋葉 幸男 ,  広瀬 洋一
出願人/特許権者： 学校法人東海大学
代理人 (1件)： 八木 秀人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-123370
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326543
出願日： 1992年05月15日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】 ダイヤモンド半導体膜の形成に不可欠であった基板の除去されたダイヤモンド半導体,ダイヤモンド半導体デバイスおよびそれらの製造方法の提供。【構成】 ダイヤモンド半導体膜2の積層一体化された絶縁性基板を化学的エッチング処理により除去して、ダイヤモンド半導体膜2の絶縁性基板1との界面の少なくとも一部を露呈させるようにし、絶縁性基板1の電気的特性の影響を全く受けないダイヤモンド半導体が得られるようにした。

請求項（抜粋）：

ダイヤモンド半導体膜の積層一体化された絶縁性基板が化学的エッチング処理により除去されて、ダイヤモンド半導体膜の絶縁性基板との界面の少なくとも一部が露呈されたことを特徴とするダイヤモンド半導体。

IPC (4件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 29/72 ,  H01L 29/80 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭64-068966
  
• 特開平4-107810
  
• 特開昭61-251158