特許

J-GLOBAL ID：200903039639518964

強誘電体ビスマス層酸化物の製造方法

発明者： スタンレー ペリーノ ,  トーマス イー ダベンポート
出願人/特許権者： ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション
代理人 (1件)： 前田 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-147143
公開番号（公開出願番号）：特開平8-022957
出願日： 1995年06月14日
公開日（公表日）： 1996年01月23日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】強誘電体膜に取付けられた電極面に垂直な方向に大きな反転可能な分極を持つ強誘電体膜を製造する。【構成】強誘電性のタンタル酸ストロンチウムビスマス(SBT)膜は2つのスパッタリング用ターゲットを用いて形成される。第1のスパッタリング用ターゲットは、主に、酸化ビスマス(Bi2O3)52,56で構成され、第2のスパッタリング用ターゲットは、主に、SBT54,58で構成される。酸化ビスマスの最初の層は、強誘電体コンデンサスタックの下部電極上に形成される。酸化ビスマスの最初の層のすぐ後に、スパッタリングによりSBTの層が形成される。その後、酸化ビスマスの第2の層が形成され、膜が所望の厚さになるまで、複数の層を有する「レヤーケーキ状」に層が交互に並べられる。堆積の最後に、膜を強誘電体にするため結晶化アニールが行われる。

請求項（抜粋）：

基板上に強誘電体膜を形成する方法において、(a)所望の強誘電体膜原料の構成要素の少なくとも一つを含む第1の物質の層を堆積させる工程と、(b)所望の強誘電体膜原料の構成要素の少なくとも一つを含む第2の物質の層を堆積させる工程とを有し、前記第1及び第2の物質は、組合せると、所望の強誘電体膜原料の構成要素の全てを含み、(c)所定の膜厚を持ち、前記第1及び第2の物質が交互に並ぶ層からなる膜が形成されるまで、前記工程(a)及び(b)を繰り返す工程と、(d)前記膜をアニールし、前記膜を強誘電体膜に変える工程とを有する方法。

IPC (7件)：

H01L 21/203 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/58 ,  C23C 28/00 ,  H01L 21/314 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-159914
  
• 特開平1-219023
  
• 特開平3-016920
  
• 特開平3-108759