特許
J-GLOBAL ID：200903039642899154
Si単結晶基板上でのCeO2 エピタキシャル単結晶薄膜の合成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小倉 亘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-186254
公開番号（公開出願番号）：特開平8-026888
出願日： 1994年07月15日
公開日（公表日）： 1996年01月30日
要約：
【要約】【目的】 Si基板表面に常温で絶縁性に優れたCeO2 薄膜をエピタキシャル成長させる。【構成】 表面を清浄にしたSi基板を10-7トール以下の高真空雰囲気に配置し、CeO2 ターゲットのレーザアブレーションにより生成した蒸気をSi基板の表面に蒸着させ、蒸着膜の厚みが5nmに達する前に前記真空雰囲気の酸素ポテンシャルを10-6トール以上に上昇させ、継続してレーザアブレーション蒸着する。【効果】 生成したCeO2 薄膜は、酸素欠陥や結晶方位の乱れがない結晶特性に優れた単結晶薄膜となる。
請求項（抜粋）：
表面を清浄にしたSi基板を10-7トール以下の高真空雰囲気に配置し、CeO2 ターゲットのレーザアブレーションにより生成した蒸気を前記Si基板の表面に蒸着させ、蒸着膜の厚みが5nmに達する前に前記真空雰囲気の酸素ポテンシャルを10-6トール以上に上昇させ、継続してレーザアブレーション蒸着することを特徴とするCeO2 エピタキシャル単結晶薄膜の合成方法。
IPC (4件)：
C30B 23/02
, C30B 29/16
, H01B 3/00
, H01L 21/203
