特許
J-GLOBAL ID：200903039643765984
LSI短絡不良検出方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-335805
公開番号（公開出願番号）：特開平10-178075
出願日： 1996年12月16日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：
【要約】【目的】 LSI製造途中工程においても適用可能な、非接触で配線の短絡不良を検出することができる方法を提供する。【構成】 複数の配線が形成されたLSI上に荷電粒子ビームを順次配線の前端から後端を横切るように直線状に走査しながら放出される二次電子量を観測して、配線の後端近傍における二次電子観測量と隣接する配線の前端近傍における二次電子観測量の変化が敷居値以下の配線組み合せを検出する。
請求項（抜粋）：
荷電粒子ビームをLSI表面に照射しつつ、該表面から放出される二次電子放出量を観測することによりLSI内の配線相互間の短絡を検出するLSI短絡不良検出方法において、LSI表面への荷電粒子ビームの照射による電荷注入によって与えられる電位に応じて変動する二次電子放出量を観測することを特徴とするLSI短絡不良検出方法。
IPC (3件)：
H01L 21/66
, G01R 31/26
, G01R 31/302
H01L 21/66 C
, H01L 21/66 S
, G01R 31/26 J
, G01R 31/28 L
