特許

J-GLOBAL ID：200903039646732629

エピタキシャル成長装置

発明者： 中原 信司 ,  今井 正人 ,  井上 和俊 ,  井澗 新一
出願人/特許権者： 株式会社スーパーシリコン研究所 ,  東横化学株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 正年 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-322355
公開番号（公開出願番号）：特開2002-128595
出願日： 2000年10月23日
公開日（公表日）： 2002年05月09日
要約：

【要約】【課題】 メンテナンス作業の簡易化を図ることができるエピタキシャル成長装置を提供する。【解決手段】 シールドチャンバー1内で、一対の半導体ウエハ10を各成長対象表面10aを対向させて保持する一対のウエハホルダ11と、一対のウエハホルダ11の間に挿入し、一対の半導体ウエハの成長対象表面10aに材料ガスを供給するガス導入ノズル6とを備え、成長対象表面10aにエピタキシャル層を形成するエピタキシャル成長装置において、ガス導入ノズル6は、ノズル先端部6bがノズル本体部6aと着脱可能である。

請求項（抜粋）：

シールドチャンバー内で、一対の半導体ウエハを各成長対象表面を対向させて保持する一対のウエハホルダと、前記一対のウエハホルダの間に挿入し、前記一対の半導体ウエハの成長対象表面に材料ガスを供給するガス導入ノズルとを備え、前記成長対象表面にエピタキシャル層を形成するエピタキシャル成長装置において、前記ガス導入ノズルは、ノズル先端部がノズル本体部と着脱可能であることを特徴とするエピタキシャル成長装置。

Fターム (4件)：

4G077AA03 ,  4G077BA04 ,  4G077DB01 ,  4G077EG23