特許

J-GLOBAL ID：200903039651231468

不揮発性メモリセルの読出し方法

発明者： エデュアルド・マーヤン ,  ギュイ・コーヘン ,  ボアズ・エイタン
出願人/特許権者： サイファン・セミコンダクターズ・リミテッド
代理人 (6件)： 社本 一夫 ,  小野 新次郎 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  西山 文俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-355621
公開番号（公開出願番号）：特開2006-164507
出願日： 2005年12月09日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：

【課題】信頼性のある読み出しを保障する。【解決手段】本方法は、メモリセルの異なるグループの閾値電圧分布の変化の関数としてメモリセルのグループを読出すための読出し基準レベルを変更する段階を含む。変更ステップは、少なくとも1つの履歴セルの正確な読出しのための履歴読出し基準レベルを求める段階と、第1読出し基準レベルに従ってメモリ読出し基準レベルを選択する段階と、メモリ読出し基準レベルを使用して少なくとも1つの履歴セルに関連する不揮発性メモリアレイセルを読出す段階とを含む。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

少なくとも1つの履歴セルを正確に読出すため履歴読出し基準レベルを求める段階と、 前記履歴読出し基準レベルに従ってメモリ読出し基準レベルを選択する段階と、 前記メモリ読出し基準レベルを使用して、前記少なくとも1つの履歴セルに関連した不揮発性メモリアレイセルを読出す段階と、 を含む方法。

IPC (2件)：

G11C 16/06 ,  G11C 16/04

FI (2件)：

G11C17/00 634E ,  G11C17/00 621Z

Fターム (7件)：

5B125BA02 ,  5B125BA08 ,  5B125BA19 ,  5B125CA14 ,  5B125DA09 ,  5B125EJ10 ,  5B125FA05

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 米国特許第6,649,972号公報
  
• 米国特許第6,490,204号公報