特許

J-GLOBAL ID：200903039652492109

グラフェンシートの製造方法

発明者： 橋本 明弘 ,  田中 悟
出願人/特許権者： 国立大学法人福井大学
代理人 (1件)： 高島 敏郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-233535
公開番号（公開出願番号）：特開2009-062247
出願日： 2007年09月10日
公開日（公表日）： 2009年03月26日
要約：

【課題】 大面積のグラフェンシートを簡単に製造できる方法を提供する。【解決手段】 耐熱性の作業基板を準備する工程と、グラフェンシートを構成する炭素の結晶構造と同様の結晶構造の炭素を含有するグラフェンシート形成面を、形成しようとするグラフェンシートの面積に応じた寸法で前記作業基板上の所定位置に位置決めする工程と、前記グラフェンシート形成面に、形成されたグラフェンシートの丸まりを阻止するCNT化阻止処理を施す工程と、前記グラフェンシート形成面を真空中又は所定のガス雰囲気中で加熱し、前記グラフェンシート形成面を構成する炭素以外の他の成分を除去する工程とを有し、前記加熱時間と前記加熱温度とを制御することで、前記グラフェンシート形成面に少なくとも一層のグラフェンシートを形成した。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

耐熱性の作業基板を準備する工程と、 グラフェンシートを構成する炭素の結晶構造と同様の結晶構造の炭素を含有するグラフェンシート形成面を、形成しようとするグラフェンシートの面積に応じた寸法で前記作業基板上の所定位置に位置決めする工程と、 前記グラフェンシート形成面に、形成されたグラフェンシートの丸まりを阻止するCNT化阻止処理を施す工程と、 前記グラフェンシート形成面を真空中又は所定のガス雰囲気中で加熱し、前記グラフェンシート形成面を構成する炭素以外の他の成分を除去する工程と、 を有し、前記加熱時間と前記加熱温度とを制御することで、前記グラフェンシート形成面に少なくとも一層のグラフェンシートを形成すること、 を特徴とするグラフェンシートの製造方法。

IPC (1件)：

C01B 31/04

FI (1件)：

C01B31/04 101Z

Fターム (11件)：

4G146AA02 ,  4G146AB07 ,  4G146AD24 ,  4G146AD29 ,  4G146BA08 ,  4G146BB23 ,  4G146BC03 ,  4G146BC27 ,  4G146BC34B ,  4G146BC38B ,  4G146CB40

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Nucleation Stages of Carbon Nanotubes on SiC(0001) by Surface Decomposition