特許

J-GLOBAL ID：200903039654320194

マイクロ波プラズマCVD法による堆積膜形成方法

発明者： 丹羽 光行 ,  斉藤 恵志 ,  殿垣 雅彦 ,  佐野 政史 ,  林 享 ,  酒井 明 ,  藤岡 靖 ,  岡部 正太郎 ,  芳里 直 ,  金井 正博
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-002672
公開番号（公開出願番号）：特開2000-192245
出願日： 1992年10月16日
公開日（公表日）： 2000年07月11日
要約：

【要約】【課題】 高速で堆積膜を形成でき、堆積膜の膜厚や特性のムラを低減できるマイクロ波プラズマCVD法による堆積膜形成方法を提供する。【解決手段】 低圧下で堆積膜形成用の原料ガスをマイクロ波エネルギーで分解し基板上に堆積膜を形成するマイクロ波プラズマCVD法において、内圧50mTorr以下の真空度で、該原料ガスを100%分解するに必要なマイクロ波エネルギーより小さなマイクロ波エネルギーを前記原料ガスに作用させると同時に、作用させるマイクロ波エネルギーより大きなrfエネルギーを前記原料ガスに作用させ、かつ、作用させるマイクロ波エネルギーによって前記原料ガスが主に分解される空間と基板との間に導電性金属からなるメッシュを介在させ、かつ、該メッシュにDCバイアス電圧を印加する。

請求項（抜粋）：

低圧下で堆積膜形成用の原料ガスをマイクロ波エネルギーで分解し基板上に堆積膜を形成するマイクロ波プラズマCVD法において、内圧50mTorr以下の真空度で、該原料ガスを100%分解するに必要なマイクロ波エネルギーより小さなマイクロ波エネルギーを前記原料ガスに作用させると同時に、作用させるマイクロ波エネルギーより大きなrfエネルギーを前記原料ガスに作用させ、かつ、作用させるマイクロ波エネルギーによって前記原料ガスが主に分解される空間と基板との間に導電性金属からなるメッシュを介在させ、かつ、該メッシュにDCバイアス電圧を印加することを特徴とするマイクロ波プラズマCVD法による堆積膜形成方法。

IPC (3件)：

C23C 16/511 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

C23C 16/511 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 V